IRLR7843TRPBF vs IRLR3114ZTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR7843TRPBF tarafından Infineon ve IRLR3114ZTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLR7843TRPBF | IRLR3114ZTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 161 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | 3.3 mOhm | — |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 4.5 mOhm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 34 nC | 40 nC @ VGS=4.5 V |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Avalanche Energy (Eas) | Fully characterized | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 130 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V (typ) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | — | 4.9 mOhm |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.81 nF |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | — | 140 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Pin Sayısı | — | 3 (2 + tab) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |