IRLR7843TRPBF vs IRLR3114ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR7843TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3114ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR7843TRPBF IRLR3114ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 130 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (typ)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
پنز کی تعداد — 3 (2 + tab)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں