ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC011N04NM7VATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC011N03LSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC011N04NM7VATMA1 BSC011N03LSTATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon Trench MOSFET
প্যাকেজ PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C (TJ) —
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
MSL লেভেল MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 39 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 72 nC
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 115 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
Configuration — Single with built-in diode
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট