ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC011N04NM7VATMA1 द्वारा Infineon और BSC011N03LSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISC011N04NM7VATMA1 BSC011N03LSTATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon Trench MOSFET
पैकेज PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C (TJ) —
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
MSL स्तर MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 39 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 72 nC
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 115 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +150C
Configuration — Single with built-in diode
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध