ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC011N04NM7VATMA1 tarafından Infineon ve BSC011N03LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC011N04NM7VATMA1 BSC011N03LSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon Trench MOSFET
Paket PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) —
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
MSL Seviyesi MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 39 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 72 nC
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 115 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Configuration — Single with built-in diode
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin