ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC011N03LSTATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC011N03LSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC011N04NM7VATMA1 BSC011N03LSTATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 256 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.1 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 136 W —
Gate Threshold Voltage (Vth) Up to 3.2 V —
Technology Trench MOSFET, silicon Trench MOSFET
پیکیج PG-TDSON-8 (source-down) PG-TDSON-8 FL (8-pin, exposed drain pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Short-Circuit Withstand Yes (current-limited) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) —
RoHS Compliance Compliant (per Infineon product page) —
MSL لیول MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 39 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.1 mOhm (typical 0.9 mOhm)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) typ — 72 nC
Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Power Dissipation at TC=25C — 115 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
Configuration — Single with built-in diode
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں