ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC024N08NM7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC037N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 - 120V 3.7mOhm N-Channel OptiMOS 6 | Infineon
ISC037N12NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC024N08NM7ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 24 A | 19.2 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 167 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 150 W | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TDSON-8 (SSO8) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55C to +175C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| প্যাকেজ | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |