ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC024N08NM7ATMA1 द्वारा Infineon और ISC037N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC024N08NM7ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 24 A | 19.2 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 167 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 150 W | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8 (SSO8) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55C to +175C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |