ISC024N08NM7ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של ISC024N08NM7ATMA1 מאת Infineon ו ISC037N12NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | ISC024N08NM7ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 24 A | 19.2 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 167 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 150 W | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז / Case | PG-TDSON-8 (SSO8) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | -55C to +175C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Rds(on) at Vgs=10V (typ) | [DATA_NEEDED: Rds(on) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg (typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| מארז | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |