ISC078N12NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC078N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC011N04NM7VATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 - 120V 85A N-Ch MOSFET 7.8mΩ SuperSO8 | Infineon
ISC078N12NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC078N12NM6ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 7.8 mΩ | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| প্যাকেজ | SuperSO8 (TDSON-8) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |