ISC151N08NM6ATMA1 vs IPB068N20NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC151N08NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB068N20NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPB068N20NM6ATMA1 - 200V 68mOhm N-Ch OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPB068N20NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC151N08NM6ATMA1 | IPB068N20NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | 68 milliohm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 charge-compensation trench |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 FL | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 15.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 134 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 300 W |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | — | 42% lower |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + tab) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (ATMA1 suffix = T&R) |