ISC151N08NM6ATMA1 vs IPB068N20NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB068N20NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC151N08NM6ATMA1 | IPB068N20NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | 68 milliohm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 charge-compensation trench |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 15.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 134 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 300 W |
| RDS(on) Improvement vs Prior Generation | — | 42% lower |
| پن کی تعداد | — | 3 (2 + tab) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (ATMA1 suffix = T&R) |