ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD009N06NM5ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC151N08NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQD009N06NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD009N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench) |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 445 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| RDS(on) Maximum | — | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| MSL লেভেল | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |