ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD009N06NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC151N08NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD009N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD009N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench) |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پنز کی تعداد | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 445 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| RDS(on) Maximum | — | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| MSL لیول | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |