ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD009N06NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC151N08NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQD009N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD009N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench) |
| Paket | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 445 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| RDS(on) Maximum | — | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| MSL Seviyesi | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |