ISC151N08NM6ATMA1 vs IQD009N06NM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC151N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IQD009N06NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC151N08NM6ATMA1 | IQD009N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench) |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 445 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| RDS(on) Maximum | — | 0.9 mΩ @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| MSL स्तर | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |