ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ230N10NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPTC017N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISZ230N10NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W 3.8 W
Power Dissipation (Tc) 48 W 395 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET
প্যাকেজ PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-HDSOP-16 (Surface Mount)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
MSL লেভেল MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 32 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 331 A
On-State Resistance RDS(on) max — 1.7 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold VGS(th) — 2.4 V (typ)
Total Gate Charge QG — 141 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance Ciss — 2.4 nF at VDS = 60 V
Output Capacitance Coss — 11000 pF at VDS = 60 V
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55 °C to +175 °C (TJ max)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট