ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ230N10NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPTC017N12NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ230N10NM6ATMA1 | IPTC017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | 395 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET |
| Paket | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | 10 V |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 331 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.4 V (typ) |
| Total Gate Charge QG | — | 141 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.4 nF at VDS = 60 V |
| Output Capacitance Coss | — | 11000 pF at VDS = 60 V |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C (TJ max) |