K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ শেষ কিনার সময়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | শেষবার কেনার সুযোগ |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $8.53 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| Die Revision | B-die | — |
| প্যাকেজ | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | 8 (chop 4) |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| বৈশিষ্ট্য | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| ইন্টারফেস টাইপ | — | Synchronous, parallel |