K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WC-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداری

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WC-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال آخری بار خریداری
فی یونٹ قیمت (USD) $8.53 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps 2666 Mbps (PC4-2133)
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
Die Revision B-die —
پیکیج FBGA-78 (78-ball TFBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Bank Structure 16 banks, 4 bank groups —
Burst Length BL8 8 (chop 4)
Termination On-Die Termination (ODT), dynamic ODT —
خصوصیات ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Speed Bin -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) —
Terminations 78 —
JEDEC-30 Package Code R-PBGA-B78 —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
انٹرفیس ٹائپ — Synchronous, parallel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں