K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-062E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BICR নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A1G8SA-062E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BICR | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V (VDD/VDDQ) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| পিন সংখ্যা | 78 | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |