K4A8G085WB-BICR vs MT40A1G8SA-062E موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICR بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A1G8SA-062E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BICR | MT40A1G8SA-062E |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| تنظیم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V (VDD/VDDQ) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) |
| پن کی تعداد | 78 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (CAS Latency) | — | CL22 at 3200 MT/s |
| Row Access Time | — | 19 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| Internal Banks | — | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) |
| Refresh | — | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| Burst Length | — | BL8, BC4 (burst chop) |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ |