K4A8G085WB-BIWE vs MT40A1G8SA-075:E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A1G8SA-075:E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BIWE | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | 8Gbit (1G x 8) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +85°C | — |
| প্যাকেজ | 78-FBGA | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| CRC Function | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |