K4A8G085WB-BIWE vs MT40A512M16TB-062E:R তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT40A512M16TB-062E:R নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BIWE | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $60.00 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| প্যাকেজ | 78-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |