K4A8G085WB-BIWE vs MT40A512M16TB-062E:R So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BIWE bằng Samsung Electronics và MT40A512M16TB-062E:R bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WB-BIWE | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $60,00 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gb | 8 Gbit (512M x 16) |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Hộp | 78-FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Giao diện | — | Parallel |
| Bề rộng đường dữ liệu | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Tính năng | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |