K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| ইন্টারফেস | DDR4 (16-bit data bus) | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | -40C to +95C |
| বৈশিষ্ট্য | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |