K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| میموری سائز | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| انٹرفیس | DDR4 (16-bit data bus) | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | -40C to +95C |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |