K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-UHC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও H5AN8G6NDJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WC-BCRC H5AN8G6NDJR-UHC
ব্র্যান্ড Samsung Electro-Mechanics SK hynix
ক্যাটাগরি EEPROM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস In Stock —
ইউনিট মূল্য (USD) $19.69 —
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
ডেটা রেট 2400 Mbps —
Clock Frequency 1333 MHz —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
ইন্টারফেস Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0 C to +95 C —
প্যাকেজ 96-FBGA (TFBGA) FBGA-96 (13x7.5 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
বৈশিষ্ট্য Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট