K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics و H5AN8G6NDJR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electro-Mechanics | SK hynix |
| دسته‌بندی | EEPROM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $19.69 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 2400 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| رابط | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| دمای کاری | 0 C to +95 C | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |