K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-UHC So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics và H5AN8G6NDJR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electro-Mechanics | SK hynix |
| Danh mục | EEPROM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $19,69 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit | — |
| Tổ chức | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Giao diện | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0 C to +95 C | — |
| Hộp | 96-FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Tính năng | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |