K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NDJR-UHC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور H5AN8G6NDJR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electro-Mechanics | SK hynix |
| زمرہ | EEPROM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $19.69 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| انٹرفیس | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 C to +95 C | — |
| پیکیج | 96-FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |