K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WB-BCPB তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 512M x16 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2133 Mbps |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | 0C to +85C |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96FBGA (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | 8Gb B-die |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (per Lisleapex listing) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| ইন্টারফেস | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |