K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WB-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 512M x16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2133 Mbps |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0C to +85C |
| پیکیج | 96FBGA | 96FBGA (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | C-die (1Y nm-class process) | 8Gb B-die |
| CRC Function | Yes (write CRC) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| Data Mask | Yes (x16 DM) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per Lisleapex listing) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| انٹرفیس | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |