K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH90 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BHMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646D-BYH90 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYH90 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BYH90
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
সংগঠন 256M x 16 512M x 16
ডেটা রেট 1866 Mbps 2133 Mbps/pin
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35V (1.283V to 1.45V)
প্যাকেজ 96-ball FBGA 96-ball FBGA (TFBGA)
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C (TC) 0°C to +85°C
CAS লেটেন্সি 13 (at 1866 Mbps) Programmable (e.g., 11, 12, 13)
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
Number of Terminals 96 —
Lead-Free Yes Yes
হ্যালোজেন মুক্ত Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Die Version D-die —
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
I/O Interface — x16
Number of Banks — 8
Ball Pitch — 0.8 mm
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
ZQ Calibration — Yes (240-ohm resistor to ground)
RoHS — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট