K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH90 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BHMA توسط Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYH90 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH90 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 2133 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| دمای کاری | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +85°C |
| تأخیر CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable (e.g., 11, 12, 13) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| I/O Interface | — | x16 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| ZQ Calibration | — | Yes (240-ohm resistor to ground) |
| RoHS | — | Compliant |