K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH90 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BHMA بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYH90 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH90 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 2133 Mbps/pin |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +85°C |
| CAS لیٹنسی | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable (e.g., 11, 12, 13) |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| I/O Interface | — | x16 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| ZQ Calibration | — | Yes (240-ohm resistor to ground) |
| RoHS | — | Compliant |