K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BYK0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BYH90 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646D-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| সংগঠন | 512M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 2133 Mbps/pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| CAS লেটেন্সি | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |