K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BYK0 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BYH90 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646D-BYK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYH90 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Tổ chức | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 2133 Mbps/pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Điện áp cung cấp | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Hộp | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| Latency CAS | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Đông trùng haogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |