K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYH90 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| ארגון | 512M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 2133 Mbps/pin | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| מתח אספקה | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | 0°C to 85°C |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| מספר פינים | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |