K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G6NCJR-XXC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BYK00 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN8G6NCJR-xxC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646D-BYK00 | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | — |
| প্যাকেজ | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to 85°C | — |
| CAS লেটেন্সি | Programmable | — |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |