K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G6NCJR-XXC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYK00 מאת Samsung Electronics ו H5AN8G6NCJR-xxC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYK00 | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| מתח אספקה | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | — |
| מארז | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | — |
| השהיית CAS | Programmable | — |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |