K4B4G1646D-BYK00 vs H5AN8G6NCJR-XXC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYK00 بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G6NCJR-xxC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYK00 | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | — |
| پیکیج | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 85°C | — |
| CAS لیٹنسی | Programmable | — |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |