K6X1008C2D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X1008C2D-BF55 নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও K6X1008C2D-TF55 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ জীবনকালের সমাপ্তি

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-TF55
ব্র্যান্ড Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস Obsolete উৎপাদন শেষ
মেমরি টাইপ Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM) SRAM - Asynchronous
Memory Organization 128K x 8 bit (1 Mbit) —
Density 1 Mbit —
Access Time 55 ns —
Supply Voltage (VCC) 5 V (single supply) —
Operating Current (ICC) 30 mA typical —
Standby Current (ICC2) [DATA_NEEDED: standby current value] —
ইন্টারফেস Parallel, asynchronous Parallel
ডেটা বাস প্রস্থ 8 bit —
Address Bus Width 17 bit —
প্যাকেজ 32-SOP-525 (SOP-32) 32-TSOP REVERSE
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature grade] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Data Retention Voltage Low data retention voltage supported —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Lead-Free Yes (Lead-Free variant) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant RoHS: Yes (per distributor listing)
Cell Technology 6T CMOS memory cell —
মেমরি সাইজ — 1 Mbit
সংগঠন — 128K x 8
Access Time (tAA) — 55 ns
Supply Voltage (Vcc) — 4.5 V to 5.5 V
Operating Current — 35 mA
Technology — Low Power Full CMOS
Speed Options — 55 ns, 70 ns
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Memory Format — Volatile (SRAM)
Clock Frequency — N/A (asynchronous)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট