K6X1008C2D-BF55 vs K6X1008C2D-TF55 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X1008C2D-BF55 द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K6X1008C2D-TF55 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung

K6X1008C2D-TF55 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-TF55
ब्रांड Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM) SRAM - Asynchronous
Memory Organization 128K x 8 bit (1 Mbit) —
Density 1 Mbit —
Access Time 55 ns —
Supply Voltage (VCC) 5 V (single supply) —
Operating Current (ICC) 30 mA typical —
Standby Current (ICC2) [DATA_NEEDED: standby current value] —
इंटरफ़ेस Parallel, asynchronous Parallel
डेटा बस चौड़ाई 8 bit —
Address Bus Width 17 bit —
पैकेज 32-SOP-525 (SOP-32) 32-TSOP REVERSE
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature grade] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Data Retention Voltage Low data retention voltage supported —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Lead-Free Yes (Lead-Free variant) —
RoHS स्थिति Compliant RoHS: Yes (per distributor listing)
Cell Technology 6T CMOS memory cell —
मेमोरी आकार — 1 Mbit
संगठन — 128K x 8
Access Time (tAA) — 55 ns
Supply Voltage (Vcc) — 4.5 V to 5.5 V
Operating Current — 35 mA
Technology — Low Power Full CMOS
Speed Options — 55 ns, 70 ns
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Memory Format — Volatile (SRAM)
Clock Frequency — N/A (asynchronous)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध