K9LCG08U1M vs K9F2808Q0B তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K9LCG08U1M নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K9F2808Q0B নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K9LCG08U1M K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9LCG08U1M ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ জীবনকালের সমাপ্তি

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K9LCG08U1M K9F2808Q0B
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Flash Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় উৎপাদন শেষ
মেমরি টাইপ NAND Flash, MLC SLC NAND Flash (parallel)
Density 64 Gbit (8 GB) 128 Mbit
সংগঠন x8 I/O 16M x 8
ইন্টারফেস Asynchronous multiplexed NAND I/O 8-bit multiplexed address/data
Cell Type MLC (2 bits per cell) SLC (1 bit/cell)
প্যাকেজ BGA 63-pin TBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
সাপ্লাই ভোল্টেজ [DATA_NEEDED: supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Page Read Time [DATA_NEEDED: page read time] —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Block Erase Time [DATA_NEEDED: block erase time] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS স্ট্যাটাস unknown unknown
Ordering Codes K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB —
Operating Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V
Read Access Speed — 50 ns
Temperature Grade — C (commercial), I (industrial)
Typical Read Current (Icc1) — [DATA_NEEDED: Icc1]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Production Status — Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট