K9LCG08U1M vs K9F2808Q0B तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9LCG08U1M द्वारा Samsung Electronics और K9F2808Q0B द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9LCG08U1M | K9F2808Q0B |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Flash | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | NAND Flash, MLC | SLC NAND Flash (parallel) |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 128 Mbit |
| संगठन | x8 I/O | 16M x 8 |
| इंटरफ़ेस | Asynchronous multiplexed NAND I/O | 8-bit multiplexed address/data |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (1 bit/cell) |
| पैकेज | BGA | 63-pin TBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS स्थिति | unknown | unknown |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Operating Voltage (VCC) | — | 1.7 V to 1.95 V |
| Read Access Speed | — | 50 ns |
| Temperature Grade | — | C (commercial), I (industrial) |
| Typical Read Current (Icc1) | — | [DATA_NEEDED: Icc1] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Production Status | — | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete |