K9LCG08U1M vs K9F2808Q0B Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9LCG08U1M tarafından Samsung Electronics ve K9F2808Q0B tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ Son Kullanım ZamanıÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K9LCG08U1M | K9F2808Q0B |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Flash | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Hayat Dönemi Sonu |
| Bellek Türü | NAND Flash, MLC | SLC NAND Flash (parallel) |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | 128 Mbit |
| Organizasyon | x8 I/O | 16M x 8 |
| Arayüz | Asynchronous multiplexed NAND I/O | 8-bit multiplexed address/data |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (1 bit/cell) |
| Paket | BGA | 63-pin TBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Besleme Gerilimi | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS Durumu | unknown | unknown |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Operating Voltage (VCC) | — | 1.7 V to 1.95 V |
| Read Access Speed | — | 50 ns |
| Temperature Grade | — | C (commercial), I (industrial) |
| Typical Read Current (Icc1) | — | [DATA_NEEDED: Icc1] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Production Status | — | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete |