K9MDG08U5M vs K9XXG08U0M তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K9MDG08U5M নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K9XXG08U0M নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K9MDG08U5M | K9XXG08U0M |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | Obsolete |
| মেমরি টাইপ | MLC Large Block NAND Flash | NAND Flash |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 8 G-bit |
| সংগঠন | 16G x 8 bit | 1G x 8 bit |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| ইন্টারফেস | Asynchronous x8 multiplexed address/data | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) |
| প্যাকেজ | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | 48-pin TSOP-I |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Spare Area | — | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) |
| Page Read Time | — | 20 us |
| Access Interface Standard | — | Samsung legacy NAND command set |
| Bad Block Management | — | Factory bad block marking (host-managed ECC required) |
| ECC Requirement | — | External ECC by host controller |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |