K9MDG08U5M vs K9XXG08U0M तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9MDG08U5M द्वारा Samsung Electronics और K9XXG08U0M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9MDG08U5M | K9XXG08U0M |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | Obsolete |
| मेमोरी प्रकार | MLC Large Block NAND Flash | NAND Flash |
| Density | 16 Gbit (2 GB) | 8 G-bit |
| संगठन | 16G x 8 bit | 1G x 8 bit |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) |
| Supply Voltage Min | 2.7 V | — |
| Supply Voltage Max | 3.6 V | — |
| इंटरफ़ेस | Asynchronous x8 multiplexed address/data | 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) |
| पैकेज | 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm | 48-pin TSOP-I |
| Terminals | 48 | — |
| Circuits | 1 | — |
| Die Configuration | Dual stacked | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Page Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG] | — |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Spare Area | — | 256 M-bit (per K9K8G08U0M) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) |
| Page Read Time | — | 20 us |
| Access Interface Standard | — | Samsung legacy NAND command set |
| Bad Block Management | — | Factory bad block marking (host-managed ECC required) |
| ECC Requirement | — | External ECC by host controller |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |