M29F200FB55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F200FB55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F400FB55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29F200FB55N3F2 | M29F400FB55N3F2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 4 Mbit (4194 kbit) |
| সংগঠন | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 256K x 16 / 512K x 8 |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | — |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +125C | -40C to +125C |
| প্যাকেজ | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (lead-free build per F2 suffix) |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 5 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Standard Package Quantity | — | 1500 units (Tape & Reel) |
| Active/Standby Current | — | [DATA_NEEDED: active and standby current] |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| VIO Range | — | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] |